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氮化銦鎵單一量子井雷射元件的理論模擬
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資料識別:
A00029871
資料類型:
期刊論文
著作者:
洪國凱 郭艷光
主題與關鍵字:
氮化銦鎵 雷射二極體 光學特性 數值模擬 InGaN Laser diode Optical property Numerical simulation
描述:
來源期刊:光學工程
卷期:72 民89.12
頁次:頁66-71
日期:
20001200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
洪國凱 郭艷光(20001200)。[氮化銦鎵單一量子井雷射元件的理論模擬]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/4e/f7.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/4e/f7.html
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雷射二極體
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